| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。 | ||
| 申请公布号 | CN1311562C | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN02157583.5 | 申请日期 | 2002.11.09 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 宇田川诚;早川昌彦;小山润;纳光明;安西彩 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L51/50(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1、一种具有发光元件的发光器件，该发光元件包括：阴极；与阴极接触的有机化合物层；和与有机化合物层接触的阳极；其中和发光元件相连的TFT的沟道长度L是100μm或更长。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||