“N”形电连接晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种“N”形封装结构及制造方法，在第一玻璃上形成空腔壁；具有空腔壁的玻璃覆盖硅芯片，硅芯片外围密布排列兼容焊盘，光学/图像部件被容纳入空腔；芯片被选择性地蚀刻，构成沟道使兼容焊盘的部分暴露；绝缘材料填充沟道，覆盖已暴露的硅坡道和兼容焊盘，绝缘材料将第二玻璃粘结到硅芯片；蚀刻之后将焊接掩膜包覆在玻璃上；兼容焊盘的横向侧、顶和底侧的部分被暴露；金属沉积外引线、并被开孔分隔，引线以“N”形连接方式电连接到焊盘；引线上包覆焊接掩膜，附着焊接凸起。本发明“N”形电连接方式还可应用于ShellUT封装和ShellOP封装，大面积暴露的兼容焊盘和引线之间产生更可靠的电连接，显著提高电连接的可靠性。

主权项

1.“N”形电连接晶圆级芯片尺寸封装结构，包括芯片、兼容焊垫、焊接掩膜，在芯片外围密布排列兼容焊盘[15]，第一玻璃封装层[5]与芯片[20]正面相粘结，芯片背面包覆有绝缘材料层[25]；其特征在于：兼容焊盘[15]的横向侧、顶和底侧的部分表面露出，在所述暴露表面和所述绝缘材料层[25]背面沉积有外引线[40]，呈“N”形连接点；形成开孔的外引线[40]上覆有保护性焊接掩模[45]，附着焊接凸起[50]，从而使所述兼容焊垫[15]以“N”形与外引线[40]和焊接凸起[50]电连通。