发明名称 薄膜晶体管阵列基板的制造方法
摘要 本发明为一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,所述的制造方法包括下列步骤。首先,在一基板上形成多条扫描线。然后,在基板上依序形成一图案化介电层与一图案化半导体层,以覆盖部分扫描线。在基板上依序形成一图案化透明导电层与一图案化金属层,而图案化透明导电层与图案化金属层区定义出多条数据线、多个源极/漏极与多个像素电极。在基板上形成一保护层,然后在保护层形成一遮光材料层。图案化遮光材料层、保护层与图案化金属层,以曝露出像素电极的图案化透明导电层,并形成一遮光层。因此,开口率能够增加。
申请公布号 CN1949484A 申请公布日期 2007.04.18
申请号 CN200610143517.1 申请日期 2006.11.10
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 黄于容;张俪琼;阙嘉慧
分类号 H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);G02F1/136(2006.01) 主分类号 H01L21/84(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 任默闻
主权项 1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,所述的方法包括:在一基板上形成多条扫描线;在所述的基板上依序形成一图案化介电层与一图案化半导体层,以覆盖部分所述的扫描线;在所述的基板上依序形成一图案化透明导电层与一图案化金属层,而该图案化透明导电层与该图案化金属层定义出多条数据线、多个源极/漏极与多个像素电极;在所述的基板上形成一保护层;在所述的保护层上形成一遮光材料层;以及图案化所述的遮光材料层、所述的保护层与所述的图案化金属层,以曝露出所述的像素电极的所述的图案化透明导电层,并形成一遮光层。
地址 台湾省新竹市