发明名称 磁场传感器和检测磁场的方法
摘要 本发明提供了一种霍耳效应磁场传感器(10,50),它包括载流子排除或抽取装置(36,66),用来降低对有源区(14e,53e)中的载流子浓度的本征贡献,以便使传感器工作于非本征饱和区。这就提供了能够使传感器(10,50)的磁场测量灵敏度对传感器温度基本上不灵敏,从而改善测量精度的优点。
申请公布号 CN1311241C 申请公布日期 2007.04.18
申请号 CN01809732.4 申请日期 2001.05.02
申请人 秦内蒂克有限公司 发明人 T·阿斯利;C·T·埃利奥特;T·J·菲利普斯
分类号 G01R33/06(2006.01);H01L43/10(2006.01) 主分类号 G01R33/06(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴立明;叶恺东
主权项 1.一种组合有半导体传感器元件(12,14,53)的磁场传感器(10,50),此半导体传感器元件具有有源区(14e,53e),其中在工作中产生响应磁场的信号,其特征是所述传感器元件(12,14,53):a)在不被偏置并且在正常工作温度下时,处于至少部分本征导电区中,并且b)具有一个排除或抽取结(36,110),该结可以偏置,以降低有源区(14e,53e)中的本征导电以便多数载流子浓度和少数载流子浓度对应于非本征饱和区;以及b)被提供有用来探测有源区(14e,53e)中响应于外加磁场而产生的信号的装置(18b,18d)。
地址 英国伦敦