发明名称 | 对存储器元件进行编程的系统及方法 | ||
摘要 | 一种多电平单元(MLC),可通过如每一单元中两端的每一端储存两比特来储存4比特。每一端可以储存,如四种不同电流电平状态,其通过在编程期间空穴注入如氮化层中的数目来决定。在一个提供的电位下,当更多的空穴注入,则电流减少。因此,电流可以是低的,在一实施例中通过使用电流放大器得到益处,此电流放大器可以是双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体晶体管(MOS)或其他类型的元件。 | ||
申请公布号 | CN1949392A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
申请号 | CN200610138883.8 | 申请日期 | 2006.09.21 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 叶致锴;蔡文哲;廖意瑛 |
分类号 | G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
主权项 | 1、一种存储器元件,包含:PHINES存储器单元,配置为产生检测电流,以回应施加于该PHINES存储器单元的检测电压;以及放大单元,与该PHINES存储器单元耦合,该放大单元配置为放大该PHINES存储器单元产生的该检测电流。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |