发明名称 对存储器元件进行编程的系统及方法
摘要 一种多电平单元(MLC),可通过如每一单元中两端的每一端储存两比特来储存4比特。每一端可以储存,如四种不同电流电平状态,其通过在编程期间空穴注入如氮化层中的数目来决定。在一个提供的电位下,当更多的空穴注入,则电流减少。因此,电流可以是低的,在一实施例中通过使用电流放大器得到益处,此电流放大器可以是双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体晶体管(MOS)或其他类型的元件。
申请公布号 CN1949392A 申请公布日期 2007.04.18
申请号 CN200610138883.8 申请日期 2006.09.21
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 叶致锴;蔡文哲;廖意瑛
分类号 G11C11/56(2006.01) 主分类号 G11C11/56(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王英
主权项 1、一种存储器元件,包含:PHINES存储器单元,配置为产生检测电流,以回应施加于该PHINES存储器单元的检测电压;以及放大单元,与该PHINES存储器单元耦合,该放大单元配置为放大该PHINES存储器单元产生的该检测电流。
地址 中国台湾新竹科学工业园区