| 发明名称 | 绝缘膜形成用组合物和其制法及二氧化硅系绝缘膜和其形成法 | ||
| 摘要 | 本发明的绝缘膜形成用组合物含有水解缩合物和有机溶剂，所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的。所述(B)成分为聚碳硅烷，其含有主链以－(Si－CH<SUB>2</SUB>)<SUB>x</SUB>－表示的结构，而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构；所述(A)成分为选自用下述通式(1)～(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物。R<SUB>a</SUB>Si(OR<SUP>1</SUP>)<SUB>4－a</SUB>……(1)Si(OR<SUP>2</SUP>)<SUB>4</SUB>……(2)R<SUP>3</SUP><SUB>b</SUB>(R<SUP>4</SUP>O)<SUB>3－b</SUB>Si－(R<SUP>7</SUP>)<SUB>d</SUB>－Si(OR<SUP>5</SUP>)<SUB>3－c</SUB>R<SUP>6</SUP><SUB>c</SUB>……(3)。 | ||
| 申请公布号 | CN1950473A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200580014628.6 | 申请日期 | 2005.04.28 |
| 申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 秋山将宏;中川恭志;黑泽孝彦;盐田淳 |
| 分类号 | C09D183/14(2006.01);B05D5/12(2006.01);B05D7/24(2006.01);C08G77/50(2006.01);C09D5/25(2006.01);C09D7/12(2006.01);C09D183/02(2006.01);C09D183/04(2006.01);C09D183/08(2006.01);H01B3/46(2006.01);H01L21/312(2006.01) | 主分类号 | C09D183/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 苗堃;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种绝缘膜形成用组合物，其特征在于，含有水解缩合物和有机溶剂，所述水解缩合物是在(B)成分存在的条件下将(A)成分水解缩合而得到的，所述(B)成分为聚碳硅烷，其含有主链以-(Si-CH<sub>2</sub>)<sub>x</sub>-表示的结构，而且具有用下述通式(4)表示的结构、用下述通式(5)表示的结构、用下述通式(6)表示的结构以及用下述通式(7)表示的结构，所述(A)成分为选自用下述通式(1)～(3)表示的化合物中的至少1种的硅烷化合物，R<sub>a</sub>Si(OR<sup>1</sup>)<sub>4-a</sub>……(1)式(1)中，R表示氢原子、氟原子或者1价的有机基团，R<sup>1</sup>表示1价的有机基团，a表示1～2的整数；Si(OR<sup>2</sup>)<sub>4</sub>……(2)式(2)中，R<sup>2</sup>表示1价的有机基团；R<sup>3</sup><sub>b</sub>(R<sup>4</sup>O)<sub>3-b</sub>Si-(R<sup>7</sup>)<sub>d</sub>-Si(OR<sup>5</sup>)<sub>3-c</sub>R<sup>6</sup><sub>c</sub>……(3)式(3)中，R<sup>3</sup>～R<sup>6</sup>相同或者相异、分别表示1价的有机基团，b以及c相同或者相异、表示0～2的整数，R<sup>7</sup>表示氧原子、亚苯基或者以-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-表示的基团，在此，m是1～6的整数，d表示0或者1；<img file="A2005800146280002C1.GIF" wi="843" he="946" />式(5)中，R<sup>8</sup>表示选自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基中的基团；<img file="A2005800146280003C1.GIF" wi="762" he="349" />式(6)中，R<sup>9</sup>以及R<sup>10</sup>相同或者相异，表示选自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基中的基团；<img file="A2005800146280003C2.GIF" wi="786" he="362" />式(7)中，R<sup>11</sup>～R<sup>13</sup>相同或者相异，表示选自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基中的基团。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||