| 发明名称 | 绝缘体上SiGe衬底材料的制作方法及衬底材料 | ||
| 摘要 | 描述了一种制作高质量的、基本弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料的方法，该衬底材料可用作应变Si层的衬底模板。具有很薄的上部Si层的绝缘体上硅衬底可用作压应变的SiGe层生长的模板。一旦SiGe层在足够高的温度下弛豫，位错运动的性质使得在埋层氧化物的行为是半粘滞性时，应变释放缺陷向下移动到薄Si层中。该薄Si层通过埋层氧化物/薄Si层界面的氧化被消耗。这可通过使用高温下的内氧化来实现。这样，初始的薄Si层在SiGe合金弛豫期间起牺牲缺陷吸收器的作用，之后可采用内氧化被消耗。 | ||
| 申请公布号 | CN1311546C | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200410060046.9 | 申请日期 | 2004.06.25 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 斯蒂文·W·比德尔;陈华杰;安东尼·G·多梅尼库奇;基思·E·福格尔;德文德拉·K·沙丹那 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制作绝缘体上SiGe衬底材料的方法，包括以下步骤： 在单晶Si牺牲层表面上制作应变的含Ge层，所述单晶Si牺牲 层位于阻挡Ge扩散的阻挡层上，所述含Ge层为SiGe合金或纯Ge； 以及 在使得(i)Ge原子在整个单晶Si牺牲层和含Ge层中均匀化， (ii)通过产生主要注入到单晶Si牺牲层中的位错而使含Ge层弛豫， 以及(iii)通过内氧化消耗单晶Si牺牲层的温度下氧化所述各层，从 而形成弛豫的单晶SiGe层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||