互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法

摘要

一种互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法，能够保护低温氧化物层，避免钝化层发生剥落。该方法包含下列步骤：在垫金属上形成钝化层；通过使用第一垫掩模，将钝化层图案化，暴露出垫金属的预定部分；在暴露的垫金属上和形成在垫开口区周围的钝化层上，形成氧化物层；依序形成彩色滤光片，平坦化层和微透镜；在上述的结构上形成低温氧化物层，以保护微透镜；及通过第二垫掩模，选择性蚀刻形成在垫开口区内的低温氧化物层和氧化物层，暴露垫金属，其中使用第二垫掩模暴露的垫金属面积小于使用第一垫掩模暴露的垫金属面积。

主权项

1.一种具有垫开口区的互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法，包含下列步骤：在垫金属上形成钝化层；通过使用第一垫掩模，将钝化层图案化，暴露出垫金属的预定部分；在暴露的垫金属上和形成在垫开口区周围的钝化层上，形成氧化物层；依序形成彩色滤光片，平坦化层和微透镜；在上述的结构上形成低温氧化物层，以保护微透镜；及通过第二垫掩模，选择性蚀刻形成在垫开口区内的低温氧化物层和氧化物层，暴露垫金属，其中使用第二垫掩模暴露的垫金属面积小于使用第一垫掩模暴露的垫金属面积。