发光装置、其制造方法、成形体及密封构件

摘要

本发明之发光装置，其包含：发光元件10，其系于430nm以上具有发光峰值波长之氮化镓系化合物半导体；成形体40，其具有持有底面及侧面之凹部，于凹部之底面载置发光元件10，且使用包含三衍生物环氧树脂之环氧树脂作为必要成分之热硬化性环氧树脂组合物之硬化物；及密封构件50，其具有包含三衍生物环氧树脂之环氧树脂或含矽树脂；并且，成形体40于430nm以上之反射率为70％以上。