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发明名称
具无电电镀金属连接层之半导体装置及其制法
摘要
一种具无电电镀金属连接层之半导体装置及其制法,主要系提供具有至少一贯穿开口之承载板;于该贯穿开口中收纳至少一具有复数铜电极垫之半导体晶片,且于该半导体晶片上具有一绝缘保护层;于该绝缘保护层中对应该半导体晶片之铜电极垫的位置形成开孔以露出该铜电极垫;以及以无电电镀方式于该绝缘保护层之开孔中的铜电极垫上形成无电电镀金属连接层,可简化半导体晶片之电性连接加工制程且易于实施,并具有降低制造成本之功效。
申请公布号
TW200715509
申请公布日期
2007.04.16
申请号
TW094135635
申请日期
2005.10.13
申请人
全懋精密科技股份有限公司
发明人
陈尚玮;曾昭崇;连仲城;许诗滨
分类号
H01L23/48(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
陈昭诚
主权项
地址
新竹市科学园区力行路6号
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