| 摘要 |
本发明提供一种包含射频偏压晶圆之铝溅镀制程及用于该制程的两步骤式铝填充制程及装置，以于两不同条件下将铝填充至一狭窄介电窗孔洞中，且较佳系于两不同的电浆溅镀反应室168、170中进行。该第一步骤130包括溅镀一高分率之离子化铝原子至一相对较冷的晶圆上，例如温度保持低于150℃，以及施予相对较高之偏压以吸引铝原子进入该狭窄孔动中并蚀刻凸缘(overhangs)。该第二步骤132包括将较中性的铝溅镀至一相对较暖的晶圆上，例如使晶圆温度保持高于250℃，以及实质上不施加偏压以提供较等向性且均匀的铝流量(aluminum flux)。在第一步骤中于该铝靶材背侧扫描的磁控管可能相对较小且非平衡(80)，以及在第二步骤中于该铝靶材背侧扫描的磁控管可能相对较大且平衡(60)。 |
