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发明名称
SONOS闸极结构及其形成方法
摘要
一种SONOS闸极结构,包含:一具有侧壁之闸极图案位于一基底上,其中闸极图案包括一闸极介电层及一闸极雹极;一氧化层结构位于基底上及闸极图案之侧壁,其中氧化层结构包括一相对较薄之部分位于基底上,及一相对较厚之部分位于闸极图案之侧壁;以及一捕获侧壁介电层位于邻近闸极图案之侧壁之氧化层结构上。
申请公布号
TW200715573
申请公布日期
2007.04.16
申请号
TW095102589
申请日期
2006.01.24
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
李自强;黄俊仁;李宗霖
分类号
H01L29/792(2006.01);H01L21/8246(2006.01);H01L27/112(2006.01);H01L21/336(2006.01)
主分类号
H01L29/792(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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