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Die Erfindung betrifft eine Wellenleiter-integrierte Photodiode für hohe Bandbreiten mit einem semiisolierenden einmodigen Zuführungswellenleiter, der zusammen mit einem über diesem angeordneten Photodioden-Mesa auf einem Substrat monolithisch integriert ist, wobei der Photodioden-Mesa aus einer elektrisch leitenden n-Kontaktschicht, einer Absorptionsschicht, einer p+-Kontaktschicht und einem metallischen p-Kontakt aufgebaut ist und der Brechungsindex der n-Kontaktschicht größer ist als der Brechungsindex der semiisolierenden Wellenleiterschicht. DOLLAR A Bei bisher bekannten Photodioden wurde ein Kompromiss zwischen Wirkungsgrad und Bandbreite eingegangen, so dass Bedarf bestand, bei mindestens einem Faktor des Quantenwirkungsgrad-Bandbreiteprodukts nach entsprechenden Steigerungen zu suchen. DOLLAR A Vorgeschlagen wird, dass die n-Kontaktschicht (3) gegenüber den darüber liegenden Schichten (4, 5) in Richtung des Zuführungswellenleiters (2) um eine vorbestimmte Länge L verlängert ist. |
