| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体元件电极,其材料包括一有机金 属裂解物,该有机金属裂解物是经雷射加热处理而 由绝缘体变成导体。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件电 极,其中该有机金属裂解物的金属元素包括铜( copper)、银(silver)、金(gold)、锌(zinc)、镉(cadmium)、 钯(palladium)、铱(iridium)、钌(ruthenium)、锇(osmium)、 铑(rhodium)、铂(platinum)、铁(ifon)、钴(cobalt)、镍( nickel)以及铟(indium)、锡(tin)、锑(antimony)、铅(lead) 或铋(bismuth)。 3.一种薄膜电晶体元件,包括一基板、一闸极电极 、一闸极绝缘层、一半导体层以及一源极电极与 一汲极电极,其中: 该半导体层位于该源极电极与该汲极电极之上方 与下方其中之一; 该源极电极与该汲极电极分别位于该闸极电极两 侧之上方与下方其中之一: 该闸极绝缘层分隔该闸极电极以及该半导体层、 该源极电极与该汲极电极: 该薄膜电晶体元件的特征在于: 该闸极电极以及/或是该源极电极与该汲极电极的 材料包括一有机金属裂解物,该有机金属裂解物是 经雷射加热处理而由绝缘体变成导体。 4.如申请专利范围第3项所述之薄膜电晶体元件,其 中该有机金属裂解物的金属元素包括铜、银、金 、锌、镉、钯、铱、钉、锇、铑、铂、铁、钴、 镍、铟、锡、锑、铅或铋。 5.如申请专利范围第3项所述之薄膜电晶体元件,其 中该半导体层的材料包括一有机半导体材料。 6.如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体元件,其 中该有机半导体材料包括小分子材料、寡聚物、 高分子材料或可转变成半导体特性的有机物。 7.如申请专利范围第3项所述之薄膜电晶体元件,其 中该基板包括矽晶片(wafer)、玻璃基板、金属基板 或塑胶基板。 8.如申请专利范围第3项所述之薄膜电晶体元件,其 中该闸极绝缘层的材料包括一有机绝缘材料或一 无机绝缘材料。 9.如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体元件,其 中: 该有机绝缘材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚 乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亚醯胺(PI);以及 该无机绝缘材料包括SiOx、SiNx或LiF。 10.一种薄膜电晶体元件电极的形成方法,包括: 于一基板上形成一材料层,该材料层为有机金属裂 解层; 利用雷射加热性质,使该材料层局部活化形成一电 极;以及 利用雷射的光化学或热作用图案化该材料层。 11.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 电极的形成方法,其中于该基板上形成该材料层的 步骤后更包括进行软烤。 12.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 电极的形成方法,其中于该基板上形成该材料层的 方法包括旋转涂布法(spin-coating)、喷墨法(inkjet printing)、滴印法(drop-pfinting)、滴铸法(casting)、微 触法(micro-contact)、微印法(micro-stamp)、网印法( screen printing)、挤压式涂布法(slot-die)或滚印法( rollto roll printing)。 13.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 电极的形成方法,其中该有机金属裂解层的金属元 素包括铜、银、金、锌、镉、钯、铱、钌、锇、 铑、铂、铁、钴、镍、铟、锡、锑、铅或铋。 14.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 电极的形成方法,其中该基板包括矽晶片、玻璃基 板、金属基板或塑胶基板。 15.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 电极的形成方法,其中形成该材料层之前或之后, 更包括于该基板上形成一半导体层。 16.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体元件 电极的形成方法,其中利用雷射的光化学或热作用 图案化该材料层之步骤,包括同时图案化该半导体 层。 17.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体元件 电极的形成方法,其中该半导体层的材料包括一有 机半导体材料。 18.如申请专利范围第17项所述之薄膜电晶体元件 电极的形成方法,其中该有机半导体材料包括小分 子材料、寡聚物、高分子材料或可转变成半导体 特性的有机物。 19.一种薄膜电晶体元件的形成方法,其特征在于: 采用申请专利范围第10项所述之方法形成该薄膜 电晶体元件的元件电极。 图式简单说明: 图1A至图1E是依照本发明之第一实施例的一种薄膜 电晶体元件电极的制造流程剖面图。 图2A至图2D是依照本发明之第二实施例的一种薄膜 电晶体元件电极的制造流程剖面图。 图3A至图3D是依照本发明之第三实施例的一种薄膜 电晶体元件电极的制造流程剖面图。 图4A与图4D是依照本发明之第四实施例的四种薄膜 电晶体元件之结构剖面图。 |
