发明名称 压力传感器总成
摘要 本发明之压力传感器总成包含一壳体,一配置在该壳体内之压力感测器,一在该壳体与一外在气体源或流体源之间建立一密封通道的耦接件,及一配置在该通道内的沈淀闸。该沈淀闸提供复数个渠道,每一渠道皆比该通道窄。
申请公布号 TWI278613 申请公布日期 2007.04.11
申请号 TW092105053 申请日期 2003.03.10
申请人 MKS公司 发明人 崔罗伯
分类号 G01L9/00(2006.01) 主分类号 G01L9/00(2006.01)
代理机构 代理人 黄庆源 台北市大安区敦化南路1段245号8楼
主权项 1.一种压力传感器总成,其包括: (A)一壳体; (B)一压力感测器,其配置在该壳体内; (C)一耦接件,其介于该壳体与一气体或流体外在来 源,该耦接件与壳体在该外在来源与该压力感测器 之间建立一密封通道; (D)一沈淀闸,其配置在该通道内,该沈淀闸定义复 数个渠道,每一渠道皆窄于该通道。 2.如申请专利范围第1项之压力传感器总成,该沈淀 闸包含复数个内管,每一内管提供该等渠道其中之 一。 3.如申请专利范围第2项压力传感器之总成,该沈淀 闸包含一外套管,每一内管配置在该外套管内。 4.如申请专利范围第1项之压力传感器总成,每一渠 道以一长宽比为特征,每一渠道之长宽比为该渠道 之一长度对该渠道之一宽度的比率,每一渠道之长 宽比大于二十。 5.如申请专利范围第1项之压力传感器总成,该壳体 定义一入口管,该耦接件附接于该入口管。 6.如申请专利范围第5项之压力传感器总成,该沈淀 闸至少局部配置在该入口管内。 7.如申请专利范围第5项之压力传感器总成,该沈淀 闸至少局部配置在该入口管以外。 8.如申请专利范围第1项之压力传感器总成,该压力 感测器包含一挠性膜。 图式简单说明: 图1A为一组合的习知技艺电容压力传感器的侧剖 面图。 图1B为一习知技艺电容压力传感器之更详细侧剖 面图。 图2为图1B所示闸系统之挡板之一顶视图。 图3为图1B所示传感器之挡板之一顶视图。 图4A为一依据本发明建构之传感器的侧剖面图。 图4B为一依据本发明建构之传感器的更详细侧剖 面图。 图5A、5B和5C分别是一依据本发明建构之沈淀闸的 顶视图、侧视图和透视图。 图6A、6B和6C分别是另一依据本发明建构之沈淀闸 的顶视图、侧视图和透视图。 图7为一如图6A、6B和6C所示沈淀闸在一早期制造阶 段的侧视图。 图8A为一用来将压力传感器连接至一气体管线之 习知技艺锁定机构的分解图。 图8B为一如图8A所示锁定机构在组装时的侧视图。 图8C为一如图8A和8B所示锁定机构在依据本发明修 改为包含一沈淀闸时的分解图。 图9A和9B分别是另一用来将压力传感器连接至一气 体管线之习知技艺锁定机构的分解图和顶视图。 图9C为一如图9A和9B所示锁定机构在依据本发明修 改为包含一沈淀闸时的分解图。
地址 美国