发明名称 激光熔凝合成法制作ABO<SUB>3</SUB>型钙钛矿结构复氧化物离子导体
摘要 激光熔凝合成法制作ABO<SUB>3</SUB>型钙钛矿结构复氧化物离子导体。该方法按常规法配料,经较低压力压制、短时烧结制坯,再进行激光熔凝合成制得La<SUB>1-x</SUB>Sr<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>Mg<SUB>y</SUB>O<SUB>3-z</SUB>具有钙钛矿结构异价取代搀杂的ABO<SUB>3</SUB>型复氧化物离子导体(分子式中x=0~0.3,y=0~0.3,z=1/2(x+y)),XRD分析结果表明激光熔凝合成法制作的La<SUB>1-x</SUB>Sr<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>Mg<SUB>y</SUB>O<SUB>3-z</SUB>具有ABO<SUB>3</SUB>型钙钛矿结构。其电导特性符合离子导电的Arrhenius方程σ=(σE<SUB>a</SUB>/kT)规律。与同样材质的常规等静压-烧结法相比,激光熔凝合成法可缩短烧结时间,实现液相相互作用、发生合成反应,制得的La<SUB>1-x</SUB>Sr<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>Mg<SUB>y</SUB>O<SUB>3-z</SUB>具有钙钛矿结构异价取代搀杂的ABO<SUB>3</SUB>型离子导体有较低的导电活化能。
申请公布号 CN1945758A 申请公布日期 2007.04.11
申请号 CN200610015568.6 申请日期 2006.09.01
申请人 天津理工大学 发明人 孙家枢
分类号 H01B13/00(2006.01);H01B1/08(2006.01);C04B35/622(2006.01);B22F3/16(2006.01);B23K26/00(2006.01) 主分类号 H01B13/00(2006.01)
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 代理人 侯力
主权项 1、激光熔凝合成法制作ABO3型钙钛矿结构复氧化物离子导体,其特征是ABO3型钙钛矿结构复氧化物是指La1-xSrxGa1-yMgyO3-z钙钛矿结构异价搀杂的ABO3复氧化物离子导体,分子式中x=0~0.3,y=0~0.3,z=1/2(x+y),其制作方法如下:a.依常规方法,根据材料设计,选用分析纯原材料;b.依常规方法,根据制备过程所发生的化学反应,按摩尔百分数计算所需各物质粉末原材料的量,称取粉末原材料;c.混粉:将上述称好的粉末原材料混合、研磨均匀;d.压制样坯:将混合好的粉料在压型中,在10~20MPa压力下压制样坯;e.予烧结制成样坯:在大气下高温炉内烧结,从室温升温至300~400℃时保温0.5~2小时,继续升温至600~700℃时保温0.5~2小时,继续升温至1200~1400℃时保温1~2小时,烧结制成样坯;f.激光熔凝合成:用激光器对烧结样坯进行激光熔凝合成;对样坯进行加热时激光功率从低调高至500~800W,对样坯进行加热,经30~60秒,再调高激光功率至1000W以上,激光光斑在样品表面移动扫描,至样坯熔化,再持续加热30~120秒,调激光功率经60~120秒功率渐减至0,样品凝固冷却,制得激光熔凝合成的La1-xSrxGa1-yMgyO3-z钙钛矿结构异价搀杂的ABO3复氧化物离子导体。
地址 300191天津市南开区红旗南路263号