| 发明名称 | 抗高过载SOI压力敏感芯片的结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供的是一种用于抗高过载SOI压力敏感芯片的结构。带双岛的硅膜片的薄膜区正面或背面除沿双岛长度方向的梁以外的其余薄膜为经减薄处理的、形成梁膜岛结构的硅膜片，硅膜片与硅基片或玻璃基片键合在一起。本实用新型是对带双岛膜片结构进行了改善，由于形成梁膜结构，具有灵敏度、非线性小的特点。梁膜岛膜片结构适用于中、低、微量程压力传感器，通过设置限位结构，可以承受10倍量程压力以上的过载。因此对SOI压力传感器的发展起到促进作用。 | ||
| 申请公布号 | CN2888651Y | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200520021822.4 | 申请日期 | 2005.10.26 |
| 申请人 | 哈尔滨市东北汽车电子工程技术研究开发中心 | 发明人 | 王伟;吴亚林;张彤;迟晓珠;张精华 |
| 分类号 | H01L29/84(2006.01);B81B7/02(2006.01);G01L1/18(2006.01) | 主分类号 | H01L29/84(2006.01) |
| 代理机构 | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人 | 祖玉清 |
| 主权项 | 1、一种用于抗高过载SOI压力敏感芯片的结构，其特征是：带双岛的硅膜片的薄膜区正面或背面除沿双岛长度方向的梁以外的其余薄膜为经减薄处理的、形成梁膜岛结构的硅膜片，硅膜片与硅基片或玻璃基片键合在一起。 | ||
| 地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号 | ||