| 发明名称 | 发光元件的制造方法及发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明是对具有发光层部24、以及以结晶方位与该发光层部24一致的方式做积层的GaP透明半导体层20，90而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1－x)yIn1－yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，以与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层6、活性层5以及第二导电型包覆层4，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。藉此提供一种在具有AlGaInP发光层部与GaP透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1947269A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200580013382.0 | 申请日期 | 2005.04.13 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 池田均;铃木金吾;中村秋夫 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/308(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼高潮 |
| 主权项 | 1.一种发光元件的制造方法，其特征在于：对具有发光层部、以及以结晶方位与该发光层部一致的方式做积层的GaP透明半导体层而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，使用与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||