多域垂直配向型像素结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种多域垂直配向型像素结构，包括一主动元件、一保护层、一第一像素电极、一第二像素电极、一电容耦合电极与一半导体层。其中，位于基板上的主动元件具有一绝缘层。此外，保护层覆盖主动元件与部分的绝缘层。上述的第一像素电极与第二像素电极皆配置于保护层上，且第二像素电极与第一像素电极电性绝缘。另外，电容耦合电极配置于第二像素电极与基板之间。上述的半导体层配置于绝缘层与保护层之间，其中绝缘层与保护层具有一沟渠以及一位于沟渠侧壁上的侧蚀凹槽，而侧蚀凹槽暴露出半导体层的侧缘。

主权项

1.一种多域垂直配向型像素结构，适于配置于一基板上，其特征在于，所述多域垂直配向型像素结构包括：一主动元件，配置于所述基板上，其中所述主动元件具有一绝缘层，所述绝缘层延伸至所述主动元件外并覆盖所述基板；一保护层，覆盖所述主动元件与部分的所述绝缘层；一第一像素电极，配置于所述保护层上，且与所述主动元件电性连接；一第二像素电极，配置于所述保护层上，且与所述第一像素电极电性绝缘；一电容耦合电极，配置于所述第二像素电极与基板之间，其中所述电容耦合电极与主动元件电性连接；以及一半导体层，配置于所述绝缘层与保护层之间，其中所述绝缘层与保护层具有一沟渠以及一位于所述沟渠的侧壁上的侧蚀凹槽，而所述侧蚀凹槽暴露出所述半导体层的侧缘。