对旋涂玻璃和有关自平坦化沉积生成填充图形

摘要

本发明公开了一种诸如存储单元的半导体器件的填充图形。该存储单元包括：多个第一分布结构，包括沉积在所述半导体衬底上的导电引线；以及多个第二分布结构，包括上表面，使得第二分布结构的上表面与多个第一分布结构的上表面大致共面。平坦化层沉积在衬底之上，使得在其上表面与第一和第二分布结构的上表面大致共面的情况下，它填充多个第一与第二分布结构之间的间隔。

主权项

1.一种用于制造半导体晶片的方法，该方法包括：提供大致平坦的半导体晶片衬底，使得由基本正交的第一和第二平面内方向确定所述衬底；在所述衬底上，至少沉积一层导电引线材料的分布层；沉积多个分布填充图形，所述分布填充图形与导电引线材料的所述分布层相邻或者与所述多个分布填充图形中的另一个相邻，使得它们之间确定的间隔的宽度与任何其他间隔的宽度基本相等；排列所述多个分布填充图形和所述至少一个导电引线材料的分布层，使得在所述衬底上形成确定多个槽的阵列，而且该阵列至少围绕所述导电引线材料和所述分布填充图形之一，配置所述阵列，使得所述多个分布填充图形、所述导电引线材料或它们二者的组合在阵列的周围限定了基本连续的直边缘周边，进一步配置所述阵列，使得任何所述分布填充图形的所有部分均没有横向伸出到所述周边之外，而且使得所述分布填充图形和所述导电引线材料确定的并且由所述间隔的多个交叉确定的栅格布置在所述阵列内，而且该栅格含有的直线尺寸不比所述多个分布填充图形之任一的最长尺寸长，而且所述多个交叉之任一确定的交叉点均不包括不中断直线尺寸；以及在所述衬底上沉积平面化层，使得它至少被布置在所述栅格内，而且横向包围所述至少一个导电引线材料的分布层和所述多个分布填充图形。