| 发明名称 | 具有至少一个存储节点的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，适于防止在存储节点之间产生电桥，而不增加平面面积。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少一个存储节点。该存储节点具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁。至少部分侧壁凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1310328C | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200410092659.0 | 申请日期 | 2004.11.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 刘硕垣;吴京锡;朴柱成;辛中铉 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及存储节点，形成在半导体衬底上以及具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁，至少部分侧壁凹陷。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||