发明名称 | 像素结构 | ||
摘要 | 本发明为一种像素结构,所述的像素结构包括以下部件。扫描线及数据线位于基板上。第一、第二及第三薄膜晶体管分别与数据线及扫描线电连接,其中第二与第三薄膜晶体管的信道宽长比相同,且大于第一薄膜晶体管的信道宽长比。第一、第二及第三像素电极分别与第一、第二及第三薄膜晶体管电连接。第一、第二及第三共享线分别配置于第一、第二及第三像素电极的下方,其中第一与第二共享线会电连接至第一电压,且第三共享线会电连接至一第二电压。当驱动此像素结构时,第一、第二与第三薄膜晶体管会产生不同的充电率,藉以改善色偏的现象。 | ||
申请公布号 | CN1945414A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
申请号 | CN200610147041.9 | 申请日期 | 2006.11.13 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 邱俊昌;朱世昌;杨志敏 |
分类号 | G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01) |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
主权项 | 1.一种像素结构,所述的像素结构包括:一数据线以及至少一扫描线,配置于一基板上;一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管以及一第三薄膜晶体管,与所述的数据线以及所述的扫瞄线电连接,且该第一、第二以及第三薄膜晶体管分别具有一第一信道宽长比、一第二信道宽长比以及一第三信道宽长比,其中该第一信道宽长比小于该第二信道宽长比,该第二信道宽长比与该第三信道宽长比相同;一第一像素电极、一第二像素电极以及一第三像素电极,分别与所述的第一、第二以及第三薄膜晶体管电连接;以及一第一共享线、一第二共享线以及一第三共享线,分别配置于所述的第一、第二以及第三像素电极的下方,其中该第一与第二共享线会电连接至一第一电压,该第三共享线会电连接至一第二电压。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |