发明名称 一种光电阴极和利用该阴极的真空紫外光电器件的制备工艺
摘要 本发明公开了一种光电阴极,由三个复合层构成,基底层由透紫基底材料构成,中层为透明导电层薄膜,其特征在于,第三层为光电发射层,它是由氧化锌的薄膜或者纳米线阵列构成。一种利用上述光电阴极的真空紫外光电器件的制备工艺,包括以下步骤:A、光电阴极的制备;B、氧化锌光电阴极成膜及性能测试,选择满足要求的阴极进行排气、封装;采用上述光电阴极的真空紫外器件的排封。该光电阴极充分利用了氧化锌的光电效应和场发射效应,解决了目前现有技术的不足之处,并且具备了许多新的特性;该制备工艺易于安排设备的使用,解决了光阴极制备程序和器件排封工艺不能分步单独进行的难题,减化工艺流程,提高生产效率。
申请公布号 CN1945776A 申请公布日期 2007.04.11
申请号 CN200610022021.9 申请日期 2006.10.10
申请人 四川天微电子有限责任公司 发明人 张超;赵安文;于海波
分类号 H01J1/34(2006.01);H01J9/02(2006.01);H01J9/00(2006.01) 主分类号 H01J1/34(2006.01)
代理机构 成都中亚专利代理有限公司 代理人 杨保刚
主权项 1、一种光电阴极,由三个复合层构成,基底层由透紫基底材料构成,中层为透明导电层薄膜,其特征在于,第三层为光电发射层,它是由氧化锌的薄膜或者纳米线阵列构成。
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