发明名称 |
一种光电阴极和利用该阴极的真空紫外光电器件的制备工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种光电阴极,由三个复合层构成,基底层由透紫基底材料构成,中层为透明导电层薄膜,其特征在于,第三层为光电发射层,它是由氧化锌的薄膜或者纳米线阵列构成。一种利用上述光电阴极的真空紫外光电器件的制备工艺,包括以下步骤:A、光电阴极的制备;B、氧化锌光电阴极成膜及性能测试,选择满足要求的阴极进行排气、封装;采用上述光电阴极的真空紫外器件的排封。该光电阴极充分利用了氧化锌的光电效应和场发射效应,解决了目前现有技术的不足之处,并且具备了许多新的特性;该制备工艺易于安排设备的使用,解决了光阴极制备程序和器件排封工艺不能分步单独进行的难题,减化工艺流程,提高生产效率。 |
申请公布号 |
CN1945776A |
申请公布日期 |
2007.04.11 |
申请号 |
CN200610022021.9 |
申请日期 |
2006.10.10 |
申请人 |
四川天微电子有限责任公司 |
发明人 |
张超;赵安文;于海波 |
分类号 |
H01J1/34(2006.01);H01J9/02(2006.01);H01J9/00(2006.01) |
主分类号 |
H01J1/34(2006.01) |
代理机构 |
成都中亚专利代理有限公司 |
代理人 |
杨保刚 |
主权项 |
1、一种光电阴极,由三个复合层构成,基底层由透紫基底材料构成,中层为透明导电层薄膜,其特征在于,第三层为光电发射层,它是由氧化锌的薄膜或者纳米线阵列构成。 |
地址 |
610000四川省成都市东三环路二段龙潭都市工业集中发展区中小企业创业园5号 |