| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1310335C | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN02102827.3 | 申请日期 | 2002.01.21 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 堀越和彦;尾形洁;田村太久夫;中原美和子;大仓理;折付良二;中野泰;芝健夫 |
| 分类号 | H01L29/768(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，它包括：非退火玻璃基片(1)；由多晶硅(4)组成、并在所述非退火玻璃基片的上部形成的沟道区(12)、源区(8)和漏区(9)；第一绝缘层(6a)，形成在覆盖所述沟道区(12)的至少一个表面的状态中；以及第二绝缘层(6b)和电极(11)，依次形成在所述第一绝缘层上，其中：所述第一绝缘层(6a)是通过氧化所述多晶硅(4)的一个表面而形成的使其厚度在4-20nm范围的氧化硅层，并包括硼和磷元素至少之一，以增加所述氧化硅层的形成速度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||