| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben, bei dem eine Vielzahl von wenigstens auf ihren Vorderseiten polierten Siliciumscheiben bereitgestellt und nacheinander jeweils einzeln in einem Epitaxiereaktor beschichtet werden, indem jeweils eine der bereitgestellten Siliciumscheiben auf einem Suszeptor im Epitaxiereaktor abgelegt, in einem ersten Schritt unter Wasserstoffatmosphäre bei einem ersten Wasserstofffluss sowie in einem zweiten Schritt unter Zugabe eines Ätzmediums zur Wasserstoffatmosphäre bei einem zweiten, reduzierten Wasserstofffluss vorbehandelt, anschließend auf ihrer polierten Vorderseite epitaktisch beschichtet und aus dem Epitaxiereaktor entfernt wird und des Weiteren jeweils nach einer bestimmten Zahl von epitaktischen Beschichtungen eine Ätzbehandlung des Suszeptors erfolgt. DOLLAR A Gegenstand der Erfindung ist auch eine Siliciumscheibe mit einer Vorderseite und einer Rückseite, wobei wenigstens ihre Vorderseite poliert und wenigstens auf ihrer Vorderseite eine epitaktische Schicht aufgebracht ist und die einen globalen Ebenheitswert GBIR von 0,07-0,3 mum aufweist, bezogen auf einen Randausschluss von 2 mm.
|
