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发明名称 TEST PATTERN AND METHOD FOR MEASURING SILICON ETCHING DEPTH
摘要
申请公布号 KR100706811(B1) 申请公布日期 2007.04.05
申请号 KR20060012182 申请日期 2006.02.08
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, HWAN SHIK;KIM, SUNG GON;JUN, CHUNG SAM;KIM, KYE WEON;PARK, JANG IK;SONG, WON KWAN
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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