发明名称 |
Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil |
摘要 |
<p>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (2d), auf die eine Stromaufweitungsschicht (4) aufgebracht ist, die Partikel (4b) eines Wellenlängenkonversionsmaterials enthält, angegeben. Ferner werden ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips sowie ein Bauteil mit solch einem Halbleiterchip angegeben.</p> |
申请公布号 |
DE102005046450(A1) |
申请公布日期 |
2007.04.05 |
申请号 |
DE20051046450 |
申请日期 |
2005.09.28 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
MALM, NORWIN VON |
分类号 |
C09K11/80;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/50;H01L51/52 |
主分类号 |
C09K11/80 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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