发明名称 |
具有布拉格反射器的n<SUP>+</SUP>/p型高抗辐照GaAs太阳电池 |
摘要 |
一种具有布拉格反射器的n<SUP>+</SUP>/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构,包括:一衬底,该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一布拉格反射器结构,该布拉格反射器结构制作在缓冲层上;一基区,该基区制作在布拉格反射器上;一发射区,该发射区制作在基区上;一兼做窗口层和复合减反射膜的高折射率层,该高折射率层制作在发射区上;一复合减反射膜的低折射率层,该低折射率层制作在窗口层上;该高折射率层与低折射率层7构成复合减反射膜层,极大地降低了光的减反射效果;一帽子层,该帽子层制作在减反射膜层上,为高掺杂n型砷化镓材料。 |
申请公布号 |
CN1941422A |
申请公布日期 |
2007.04.04 |
申请号 |
CN200510105263.X |
申请日期 |
2005.09.28 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
白一鸣;陈诺夫;戴瑞烜;王鹏;王晓东 |
分类号 |
H01L31/052(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/052(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1.一种具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构,其特征在于,包括:一衬底,该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一布拉格反射器结构,该布拉格反射器结构制作在缓冲层上;一基区,该基区制作在布拉格反射器上;一发射区,该发射区制作在基区上;一兼做窗口层和复合减反射膜的高折射率层,该高折射率层制作在发射区上;一复合减反射膜的低折射率层,该低折射率层制作在窗口层上;该高折射率层与低折射率层7构成复合减反射膜层,极大地降低了光的减反射效果;一帽子层,该帽子层制作在减反射膜层上,为高掺杂n型砷化镓材料。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |