| 发明名称 | 形成自对准晶体管的方法及其结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成自对准晶体管的方法及其结构。在一种实施方式中，形成晶体管时使用两部分导体，以与晶体管的有源区之一发生电接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1941406A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610153918.5 | 申请日期 | 2006.09.12 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 戈登·M·格里瓦纳 |
| 分类号 | H01L29/41(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/73(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/41(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1.一种用于晶体管的接触结构，包括：具有第一表面的半导体衬底；第一表面上的第一掺杂区；位于第一表面上，与第一掺杂区电接触的第二掺杂区；上覆于第一掺杂区之上的具有第二表面的第一导体，该第一导体具有侧壁；以及下伏于第一导体的一部分之下，从第二表面延伸以与第一掺杂区电接触的第二导体，其中，第二导体不在第一导体的侧壁上。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||