发明名称 |
化学机械抛光以及利用其制造半导体器件的方法 |
摘要 |
提供一种CMP方法。根据该CMP方法,在两个或更多层中形成的层间绝缘层被刻蚀以形成沟槽,并且测量该层间绝缘层的两个或更多层的厚度。在沟槽中顺序形成阻挡金属层和金属层。去除金属层的一部分,并且去除部分阻挡金属层和层间绝缘层。之后,再次测量该层间绝缘层的两个或更多层的厚度。 |
申请公布号 |
CN1941323A |
申请公布日期 |
2007.04.04 |
申请号 |
CN200610126610.1 |
申请日期 |
2006.08.30 |
申请人 |
东部电子有限公司 |
发明人 |
郑映锡 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/66(2006.01);B24B49/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
林宇清;谢丽娜 |
主权项 |
1.一种CMP(化学机械抛光)方法,包括:刻蚀包括两个或更多层的层间绝缘层,以在其中形成沟槽;测量所述层间绝缘层的两个或更多层的厚度;在所述沟槽中顺序形成阻挡金属层和金属层;去除所述金属层的一部分;去除部分所述阻挡金属层和所述层间绝缘层;以及再次测量所述层间绝缘层的两个或更多层的厚度。 |
地址 |
韩国首尔 |