| 发明名称 | 突起的硅光电二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种PIN型光电二极管，其包括用作钝化层的突起的硅外延层。这使得N<SUP>－</SUP>区域靠近硅基体的表面，增强了N<SUP>－</SUP>区域到传输门电路的链接。本发明的光电二极管包括一形成在一半导体基体的P－型区域内的N<SUP>－</SUP>区域，其中，半导体基体具有一上表面。一外延硅层可以形成在该半导体基体的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1941423A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610108557.2 | 申请日期 | 2006.07.21 |
| 申请人 | 豪威科技有限公司 | 发明人 | 霍华德·E·罗德斯 |
| 分类号 | H01L31/105(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L31/105(2006.01) |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人 | 戴建波 |
| 主权项 | 1、一种PIN型光电二极管，其包括：一形成在一半导体基体的P-型区域内的N-区域，所述的半导体基体具有一上表面；以及一形成在所述半导体基体的上表面的外延硅层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维尔市 | ||