使用低介电常数材料膜的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种使用除硅以外的低介电常数基片、可适应工作速度提高的半导体器件。设置由基片(11)和比介电常数低于硅的低介电常数材料膜(12)构成的基体(10)。在基体(10)表面上，通过粘接包含MOS晶体管(30)的半导体元件层来迭层。MOS晶体管(30)用岛型单晶Si膜(31)形成，埋设于绝缘膜(15)、(16)、(17)的内部。在半导体元件层之上形成多层布线结构(18)，与MOS晶体管(30)电连接。基体(10)的里表面形成起到信号返回路径功能的电极(20)。还可以替代在基体(10)上形成电极(20)，在基体(10A)的里表面配置多个电极(20A)将基体(10A)构成为插入式选择指。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：(a)具有第一面和位于该第一面相反一侧的第二面、并包含比介电常数低于硅的低介电常数材料膜的基体；(b)直接或隔有其他层形成于所述基体的所述第一面、含有半导体元件及埋设该半导体元件的绝缘膜的第一半导体元件层；(c)直接或隔有其他层形成于所述第一半导体元件层的上面的第一布线层；以及(d)形成于所述基体的所述第二面、形成通过所述第一布线层而传送的信号的返回路径的电极，所述基体、所述第一半导体元件层和所述第一布线层构成三维迭层结构，所述第一半导体元件层的所述半导体元件，用形成为岛型的半导体膜形成，并且该半导体膜的大小限定为能够获得该半导体元件的所需特性的大小。