| 发明名称 | 镶嵌式闸极制程 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种镶嵌式闸极制程，其步骤包括：提供一依序形成有一垫层以及一蚀刻停止层的半导体基底；形成一绝缘层覆盖该垫层以及该蚀刻停止层；移除部分的该绝缘层、该蚀刻停止层以及该垫层形成一开口；在该开口两侧壁形成保护间隙壁，且该保护间隙壁的高度低于该绝缘层；形成一闸极导电层于该开口底部；依序移除该保护间隙壁以及该绝缘层以露出部分半导体基底以及该蚀刻停止层；对露出的半导体基底进行植入形成浅掺杂区于该闸极导电层的两侧；以介电材料覆盖该闸极导电层形成闸极间隙壁；移除该蚀刻停止层以及该垫层而露出半导体基底；以及对露出的半导体基底进行植入形成源极汲极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1309023C | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN03155807.0 | 申请日期 | 2003.08.22 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 郝中蓬;陈逸男 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1、一种镶嵌式闸极制程，其步骤包括：提供一依序形成有一垫层以及一蚀刻停止层的半导体基底；形成一绝缘层覆盖该垫层以及该蚀刻停止层；移除部分的该绝缘层、该蚀刻停止层以及该垫层形成一开口；在该开口两侧壁形成保护间隙壁，且该保护间隙壁的高度低于该绝缘层；形成一闸极导电层于该开口底部；依序移除该保护间隙壁与该绝缘层，以露出半导体基底的一部分和全部的该蚀刻停止层；对露出的半导体基底进行植入形成浅掺杂区于该闸极导电层的两侧；以介电材料覆盖该闸极导电层形成闸极间隙壁；移除该蚀刻停止层以及该垫层而露出半导体基底；以及对露出的半导体基底进行植入形成源极汲极区域。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||