| 发明名称 | 发光装置 | ||
| 摘要 | 一种发光装置，包括：包括氮化物半导体的发光元件，所述发光元件发出蓝光；和磷光体，所述磷光体可吸收部分由所述发光元件发出的所述蓝光并可发射与所述吸收的光具有不同波长的黄光，其中，从所述发光元件发射出的波长的半值宽度不大于40nm，从所述磷光体发射出的波长具有达110nm的半带宽，所述发光元件包括双异质结构，所述双异质结构包括夹在p－型覆层和n－型覆层之间的发光层，和所述p－型覆层或所述n－型覆层包括超晶格结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1941441A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610142476.4 | 申请日期 | 2001.12.28 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社;楚达尼克光电公司;泰克公司;鲁彻斯特弗瑞克布瑞特根公司 | 发明人 | 太田光一;平野敦雄;太田昭人;斯特凡·塔施;彼得·帕克勒;贡杜拉·罗特;瓦尔特·特夫斯;沃尔夫冈·肯普费尔特;德特勒夫·斯塔里克 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);C09K11/81(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 杨娟奕 |
| 主权项 | 1.一种发光装置，包括：包括氮化物半导体的发光元件，所述发光元件发出蓝光；和磷光体，所述磷光体可吸收部分由所述发光元件发出的所述蓝光并可发射与所述吸收的光具有不同波长的黄光，其中，从所述发光元件发射出的波长的半值宽度不大于40nm，从所述磷光体发射出的波长具有达110nm的半带宽，所述发光元件包括双异质结构，所述双异质结构包括夹在p-型覆层和n-型覆层之间的发光层，和所述p-型覆层或所述n-型覆层包括超晶格结构。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||