| 发明名称 | 具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法。包括下列步骤：提供一半导体基底，于上述半导体基底上形成一具有高介电常数的栅极介电层。形成一栅极导电层于介电层上。于上述栅极导电层上形成一图案化掩模，以干蚀刻法蚀刻栅极导电层及部分具有高介电常数的栅极介电层，再利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分具有高介电常数的栅极介电层，以形成一具有高介电常数栅极介电层的栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1309024C | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200310117145.1 | 申请日期 | 2003.12.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 邱显光;彭宝庆;陶宏远 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种具有高介电常数介电层的栅极结构的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，于该半导体基底上形成具有介电常数高于10的一介电层；形成一栅极导电层于该介电层之上；以一图案化掩模，利用干蚀刻法蚀刻该栅极导电层及部分该介电层；及利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分该介电层，以形成一栅极结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||