| 发明名称 | 非线性光学晶体Nb:KTP的合成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非线性光学晶体材料，即掺铌的KTP晶体材料(Nb:KTP)的合成方法，该方法能够得到掺铌浓度为0.1-15wt％的Nb:KTP单晶，从而得到晶体质量完好、铌在晶体中分布均匀、可实现截止波长蓝移及能实现固体激光器中最常用的1064nm波段的非临界相位匹配的Nb:KTP晶体。本发明是使高温高压下的KTP晶体原料和含Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>试剂的混合物的水溶液达到一定的过饱和度，在Nb:KTP籽晶片上生长掺铌的KTP晶体。具体地说就是采用高压釜和与之配套的电阻炉，通过合理的温场设计，使反应腔内的生长区和溶解区的温度合适，当容器内的溶液由于上下部之间的温差而产生对流时，高温区的饱和溶液被送到低温区，从而形成过饱和状态，使籽晶生长。 | ||
| 申请公布号 | CN1308502C | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200510020164.1 | 申请日期 | 2005.01.11 |
| 申请人 | 桂林矿产地质研究院 | 发明人 | 张昌龙;黄凌雄;周卫宁;张戈;霍汉德 |
| 分类号 | C30B29/14(2006.01);C30B29/22(2006.01) | 主分类号 | C30B29/14(2006.01) |
| 代理机构 | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 马兰 |
| 主权项 | 1、非线性光学晶体Nb:KTP的合成方法，其特征为该方法是使用含Nb2O5试剂，通过水热合成法合成掺铌的KTP晶体。 | ||
| 地址 | 541004广西壮族自治区桂林市辅星路2号 | ||