半导体装置、互补型金氧半装置及P型半导体装置SEMICONDUCTOR DEVICE、CMOS DEVICE AND P-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明系提供一半导体装置，包括一基板，该基板具有第一区域及第二区域，该第一区域具有一利用一组利用密勒指数{i,j,k}来表示之第一晶向，该第二区域系具有一利用一组米勒指数{l,m,n}来表示之第二晶向，其中l2+m2+n2>i2+j2+k2。替代实施例更包括一NMOS场效电晶体形成于该第一区域上，以及一第二PMOS场效电晶体形成于该第二区域上。实施例更包括一肖特基接面与该NMOS场效电晶体与PMOS场效电晶体至少其中之一共同形成。