发明名称 | 介电层之制造方法 | ||
摘要 | 一种介电层之制造方法,此方法系先提供一12寸晶圆片,此一晶圆片上形成有至少三层金属层。接着,进行一高密度电浆制程,以于12寸晶圆片上方形成一介电层,其中之高密度电浆制程包括施加一射频偏压功率总合以及一射频功率总合,且射频偏压功率总合比上射频功率总合之比率介于0.7至2.5之间。 | ||
申请公布号 | TW200713451 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094132769 | 申请日期 | 2005.09.22 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 邓宪哲;吴俊宏;林进富 |
分类号 | H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |