发明名称 | 半导体元件之熔丝结构 | ||
摘要 | 一种半导体元件之熔丝结构,包括在半导体基底上,夹于上下绝缘层中之一熔丝层,其藉着介层洞与其他金属层电性相连,熔丝层之电阻系数可以藉其形成材料而调整。熔丝层具有多个互相分离的区块,至少一连结区块与至少一热缓冲区块,而热缓冲区块与烧熔点附近之区块或具烧熔点之区块相耦接,而提供一条新的热传导路径。当面积较狭窄的连结区块因为流经电流密度较高而有过热之虞时,热缓冲区块与其相耦接之区块,则可将烧熔点附近所产生之热均匀分布,而有助于散热。 | ||
申请公布号 | TW200713543 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094130275 | 申请日期 | 2005.09.05 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 郑钧文;梁佳文;李瑞池;薛胜元 |
分类号 | H01L23/48(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |