适合低操作电压电子束激发之萤光粉体配方及其制备方法

摘要

本发明系揭示一种适合低操作电压电子束激发之萤光粉体配方及其制备方法。本发明之萤光材料系以硷土族及铝氧化合物为主体晶格并含活化中心，其受低电压激发源激发可分别产生蓝色与蓝绿色之萤光。其化学组成分别为(M1-xEux)Al2O4(0.0001≦x≦0.5)或(M1-xEux)4Al14O25(其中M=Mg, Sr, Ca, Ba或其混合；0. 0001≦x≦0.5)。本发明之材料具光色纯、稳定性高等优点。此外，本发明所揭示之配方可利用多种合成方法制得单相之粉体，例如固态反应法、共沉淀法、凝胶法或微乳胶法。本发明之制造方法简易，适合大量生产，所得成品具产业应用价值。

主权项

1.一种萤光粉体,系以硷土族及铝氧化合物为主体 晶格并含活化中心,其受低电压激发源激发可分别 产生黄绿色与蓝绿色之萤光,该硷土族及铝氧化合 物为主体晶格及含铕活化中心材料配方可产生黄 绿色与蓝绿色之萤光分别系为(M1-xEux)Al2O4与(M1-xEux )4Al14O25,而M=Mg, Ca, Sr, Ba,或其混合,而0.0001≦x≦0.5 。 2.一种萤光粉体的制备方法,系用以制造如申请专 利范围第1项中任一项之萤光材料,系藉由固态反 应法合成,其包括下列之步骤: a.原料混合; b.烧结。 3.如申请专利范围第2项之萤光粉体的制备方法,其 中,原料混合系形成如申请专利范围第2项之萤光 材料中(M1-xEux)Al2O4与(M1-xEux)4Al14O25之配方,包括成 分M(Mg, Ca, Sr, Ba,或其混合)、铕与铝元素来源系选 自其金属氧化物或其盐类,再于还原环境中进行烧 结。 4.如申请专利范围第2项之萤光粉体的制备方法,其 中,烧结系于还原气环境、温度1200~1700℃下进行烧 结4~24小时。 5.如申请专利范围第2项之萤光粉体的制备方法,其 中,烧结时之还原环境系混合氢氮或氢氩等之混合 气体环境。 6.一种萤光粉体的制备方法,系用以制造如申请专 利范围第1项之萤光粉体,系藉由共沉淀法所形成 。 7.一种萤光材料的制备方法,系用以制造如申请专 利范围第1项之萤光粉体,系藉由凝胶法所形成。 8.一种萤光粉体的制备方法,系用以制造如申请专 利范围第1项之萤光材料,系藉由微乳胶法所形成 。 9.如申请专利范围第1项之萤光粉体,其中,该低电 压激发源系选自奈米碳管(carbon nanotube emitter;CNT) 、表面传导电子源(surface conduction electron emitter;SED )、冲击式表面电子源(ballistic electron surface emitter; BSD)及金属绝缘体发射源(metal insulator metal emitter; MIM)等所成群之电子激发源。 10.如申请专利范围第1项之萤光粉体,其中,该激发 源之电压≦1 kV。 11.如申请专利范围第1项之萤光粉体,其中,该激发 源系电浆激发源 图式简单说明: 图一(a)系根据本发明之实施例所制备之(Sr1-xEux)Al2 O4(x=0.04)样品之X光粉末绕射图谱,(b)为SrAl2O4之标准 X光粉末绕射图谱。 图二(a)系根据本发明之实施例所制备之(Sr1-xEux)4Al 14O25(x=0.04)样品之X光粉末绕射图谱,(b)为Sr4Al14O25之 标准X光粉末绕射图谱。 图三系根据本发明之实施例所制备之(a)为(Sr1-xEux) Al2O4(x=0.04)与(b)为(Sr1-xEux)4Al14O25(x=0.04)样品之发射 光谱图。 图四系将图三之光发射光谱标定于CIE色度座标图 。