| 主权项 |
1.一种相位差板,其特征为由使显示双折射性的链 状聚合物定向之单层薄膜所成,该聚合物具有下述 一般式(I)所示之基作为侧链(a),至少于波长450~650nm 之面内相位差,为愈短波长侧愈小且愈长波长侧愈 大, (一般式(I)中,2个氧原子各自链结于构成主链的原 子,R1、R2为各自独立的氢原子、碳数1~8的烷基、 或芳香族基,但是R1及R2至少任一者为芳香族基,R1 或/及R2之芳香族基系其平面结构配置于与连接上 述2个氧原子的假想线约成垂直之方向)。 2.一种相位差板,其特征为由使显示双折射性的链 状聚合物定向之单层薄膜所成,该聚合物具有下述 一般式(II)或一般式(III)所示之基中至少任一者作 为侧链(a),至少于波长450~650nm之面内相位差,为愈 短波长侧愈小且愈长波长侧愈大, (一般式(II)中,2个氧原子各自链结于构成主链的原 子,R3为氢原子或碳数1~8的烷基,R4及R8为各自独立 的氢原子、碳数1~4的直链状或支链状的烷基、碳 数1~4的直链状或支链状的烷氧基、碳数1~4的直链 状或支链状的硫烷氧基、卤素、硝基、胺基、羟 基或硫醇基(但是R4及R8不可同时为氢原子),R5、R6 、及R7为各独立的氢原子或取代基), (一般式(III)中,2个氧原子各自链结于构成主链的 原子,R3为氢原子、碳数1~8的烷基,A为可具有取代 基之基、可具有取代基之基、或可具有取代 基之菲基,构成基、基、或菲基之碳原子中之 1个以上的碳原子可被氮原子取代)。 3.如申请专利范围第1项或第2项之相位差板,其中 该聚合物具有:以主链的构成原子上键结侧链(a)的 结构作为一个构成单元,而该结构单元经相邻配列 的部份。 4.如申请专利范围第1项至第3项之相位差板,其中 所含有的该侧链(a)为侧链总量的1~50莫耳%。 5.如申请专利范围第1项至第4项之相位差板,其中 聚合物除了侧链(a)以外,尚具有羟基作为侧链(b)。 6.如申请专利范围第5项之相位差板,其中该聚合物 除了侧链(a)及(b)以外,尚具有下述一般式(IV)所示 之基作为侧链(c), (一般式(IV)中,R9为氢原子、或直链状、支链状或 环状的烷基,此烷基的碳原子可被未相邻连接之氧 原子取代)。 7.如申请专利范围第6项之相位差板,其所含有的该 侧链(a)为侧链总量的1~50莫耳%,侧链(b)为侧链总量 的5~95莫耳%,侧链(c)为侧链总量的1~90莫耳%。 8.一种相位差板,其特征为由使显示双折射性的链 状聚合物定向的单层薄膜所成,该聚合物具有下述 一般式(V)或一般式(VI)所示结构中之任一作为重复 单元(A),至少于波长450~650nm之面内相位差,为愈短 波长侧愈小且愈长波长侧愈大, (一般式(V)中,R3为氢原子或碳数1~8的烷基,R4及R8为 各自独立的氢原子、碳数1~4的直链状或支链状的 烷基、碳数1~4的直链状或支链状的烷氧基、碳数1 ~4的直链状或支链状的硫烷氧基、卤素、硝基、 胺基、羟基或硫醇基(但是R4及R8不可同时为氢原 子),R5、R6、及R7为各独立的氢原子或取代基), (一般式(VI)中,R3为氢原子、碳数1~8的烷基,A为可具 有取代基之基、可具有取代基之基、或可具 有取代基之菲基,构成基、基、或菲基之碳原 子中之1个以上的碳原子可被氮原子取代)。 9.如申请专利范围第8项之相位差板,其中该聚合物 之重复单元(A)系将聚乙烯醇的羟基以芳香族醛进 行缩醛化所得到者。 10.如申请专利范围第8项或第9项之相位差板,其中 该聚合物除了重复单元(A)之外,尚具有下述一般式 (VII)所示之重复单元(B), (重复单元(A)及(B)的配列可为嵌段状、无规状之任 一种)。 11.如申请专利范围第10项之相位差板,其中该聚合 物除了重复单元(A)及(B)以外,尚具有下述一般式( VIII)所示之重复单元(C), (一般式(VIII)中,R9为氢原子、或碳数1~12的直链状 、支链状或环状的烷基,烷基的碳原子可被未相邻 连接的氧原子取代,重复单元(A)~(C)的配列可为嵌 段状、无规状之任一种)。 12.一种相位差板,其特征为由使显示双折射性的链 状聚合物定向之单层薄膜所成,该聚合物具有下述 一般式(IX)的结构,至少于波长450~650nm之面内相位 差,为愈短波长侧愈小且愈长波长侧愈大, (一般式(IX)中,1为5~30莫耳%,m为20~80莫耳%,n为1~70莫 耳%)。 13.一种相位差板,其特征为由使显示双折射性的链 状聚合物定向之单层薄膜所成,该聚合物具有下述 一般式(X)的结构,至少于波长450~650nm之面内相位差 ,为愈短波长侧愈小且愈长波长侧愈大, (一般式(X)中,I为5~30莫耳%,m为20~80莫耳%,n为1~70莫耳 %)。 14.一种下述一般式(XII)所示之聚合物, (一般式(XII)中,1为5~30莫耳%,m为20~60莫耳%,n为20~60莫 耳%,o为1~55莫耳%)。 15.一种光学薄膜,其特征为层合申请专利范围第1~ 13项中任一项之相位差板者。 16.一种画像显示装置,其特征为具有申请专利范围 第1~13项中任一项之相位差板或申请专利范围第16 项之光学薄膜者。 图式简单说明: |
