非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，由基底、多数个隔离层、多数个主动层、多数个浮置闸极、多数个控制闸极与多数个掺杂区所构成。主动层设置于基底中，位于隔离层之间，主动层之顶面高于隔离层之顶面，且主动层与隔离层互相平行排列，往第一方向延伸。控制闸极设置于基底上，这些控制闸极平行排列，且往第二方向延伸，第二方向与第一方向交错。浮置闸极分别设置于各主动层与控制闸极之间。掺杂区设置于控制闸极之间的主动层中。