铜钝化之后段化学机械抛光清洗组成物及利用该组成物之方法

摘要

本发明系关于用于自具有后段化学机械抛光(CMP)残留物、后段蚀刻残留物及/或污染物之微电子装置上清洗该残留物及污染物的硷性水性清洗组成物及方法。此硷性水性清洗组成物包含胺、钝化剂及水。此组成物高度有效地达成残留物及污染物材料自微电子装置之清洗，同时并使金属互连材料钝化。