发明名称 | 非挥发性记忆体设定値载入方法与其记忆体装置 | ||
摘要 | 一种非挥发性记忆体设定值载入方法与其记忆体装置,系于记忆体装置制作之初,先将特定相容之记忆体设定值载入至其中一非挥发性记忆区块(Non-Volatilememory block)中预设之预载区,其中预载该非挥发性记忆体型态之各种参数资讯,于此记忆体装置整备时,即将此预载区之资讯载入至此记忆体装置之随机存取记忆体中(RAM),以节省知使用唯读记忆体(ROM)记载该型态之空间,并于启动记忆体装置后,利用一载入手段由预载区载入该非挥发性记忆体设定值至该记忆体装置之一随机存取记忆体中,藉以达成该记忆体装置之制作或韧体更新之流程。 | ||
申请公布号 | TW200713277 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094130533 | 申请日期 | 2005.09.06 |
申请人 | 安国国际科技股份有限公司 | 发明人 | 张琦栋;陈弘钧;王庆文 |
分类号 | G11C16/02(2006.01);G06F12/00(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 谢宗颖;王云平 | |
主权项 | |||
地址 | 台北市内湖区港墘路200号4楼之1 |