| 主权项 |
1.一种静电容量型压力感测器(sensor) ,为具有膜片( diaphragm)之导电性矽(silicon)基板与具有固定电极之 绝缘性基板,被重叠而接合,而且,于前述膜片( diaphragm)与前述固定电极之间,形成有密闭室,其特 征为: 于前述绝缘性基板的一部份埋设有导电性矽( silicon)构件,该导电性矽(silicon)构件的一部份为露 出前述绝缘性基板的前述密闭室侧,而构成前述固 定电极,而且,前述导电性矽(silicon)构件的另外一 部份为露出前述绝缘性基板的前述密闭室之相反 侧,而构成前述固定电极的取出电极。 2.如申请专利范围第1项所记载之静电容量型压力 感测器(sensor),其中:前述导电性矽(silicon)构件为被 埋入成为贯穿前述绝缘性基板的前述密闭室侧之 面与其之相反面之间。 3.如申请专利范围第1项所记载之静电容量型压力 感测器(sensor),其中:藉由前述导电性矽(silicon)构件 所构成的前述固定电极之电极面,与前述绝缘性基 板的前述密闭室侧之面,为位于同一面上。 4.如申请专利范围第1项所记载之静电容量型压力 感测器(sensor),其中:藉由前述导电性矽(silicon)构件 所构成之前述固定电极的电极面,比起前述绝缘性 基板的前述密闭室侧之面,更后退至靠近前述取出 电极。 5.如申请专利范围第1项所记载之静电容量型压力 感测器(sensor),其中:前述密闭室为仅藉由前述固定 电极及前述绝缘性基板以及前述导电性矽(silicon) 基板所区分而形成。 6.如申请专利范围第1项所记载之静电容量型压力 感测器(sensor),其中:前述绝缘性基板,为玻璃(glass) 基板。 图式简单说明: 第1图系表示本实施形态之静电容量型压力感测器 的一例之平面图。 第2图系对应第1图之II-II线的剖面模型图。 第3图系说明静电容量型压力感测器之制造方法的 工程图。 第4图系说明静电容量型压力感测器之制造方法的 工程图。 第5图系说明本实施形态之静电容量型压力感测器 的其他例子及其制造方法之剖面模型图。 第6图系说明本实施形态之静电容量型压力感测器 的别的例子之剖面模型图。 |
