| 主权项 |
1.一种研磨方法,其包含: 使一半导体基板的一研磨表面和附着于一旋转台 的一研磨垫相接触,其中该研磨表面含有Cu;及 在该研磨垫上滴下一CMP研磨液以研磨该研磨表面, 该CMP研磨液包含:一Cu氧化剂;一错合剂,以形成Cu有 机复合物的;一非离子性界面活性剂;一无机粒子; 及一树脂粒子,其并入浓度小于1wt%,含有聚苯乙烯, 在其表面上具有和该无机粒子相同极性的一功能 基及具有20至50nm的平均粒子直径。 2.如请求项1之研磨方法,其中该树脂粒子在该CMP研 磨液中并入其中的浓度介于0.05至0.95wt%。 3.如请求项1之研磨方法,其中该CMP研磨液中该树脂 粒子之表面功能基包括至少一选自由以下项目所 组成的基团:羧酸基、磺醯基、及氨基。 4.一种半导体装置之制造方法,其包含: 在一半导体基板上形成一绝缘膜; 在该绝缘膜内形成一凹陷部分; 在该凹陷部分内及在该绝缘膜上沉积一导电材料 以形成一导电层;及 使用一CMP研磨液之CMP移除沉积于该绝缘膜上的该 导电材料,以在该凹陷部分中选择性留下该导电材 料,该CMP研磨液包含:一Cu氧化剂;一错合剂,以形成 一Cu有机复合物;一非离子性界面活性剂;一无机粒 子;及一树脂粒子,其并入浓度小于1wt%,含有聚苯乙 烯,在其表面上具有和该无机粒子相同极性的一功 能基及具有20至50nm的平均粒子直径。 5.如请求项4之方法,其中该导电层为以电镀形成的 一Cu薄膜。 6.如请求项4之方法,其中该凹陷部分包括布线沟渠 ,该等布线沟渠包含:一第一布线沟渠及一第二布 线沟渠,该第一布线沟渠具有一第一线宽及密集形 成于一第一区中,及该第二布线沟渠具有一线宽大 于该第一布线沟渠的及形成于一第二区中。 7.如请求项6之方法,其中该第一区之导电层的厚度 大于该第二区之导电层的厚度。 图式简单说明: 图1A及1B根据本发明的一项具体实施例,分别显示 解说研磨液之研磨程序之机制的示意图; 图2A至2C根据本发明的一项具体实施例,分别逐步 显示半导体装置制造方法的横截面图; 图3为解说CMP之状态的示意图; 图4根据先前技术,为解说第一研磨步骤后之状态 的横截面图; 图5A至5C根据本发明的另一项具体实施例,分别逐 步显示半导体装置制造方法的横截面图;及 图6根据先前技术,为解说修整步骤后之状态的横 截面图。 |
