| 主权项 |
1.一种金属错合物,其特征为具有呈现源自三重激 发态之发光之金属错合物构造,以及有如下述式(1) 及(2)所示之1价基 (式中之A表单键或共轭2价基;R1及R2各自独立,表示 卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷 基矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳 基矽烷基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基 、芳基烷胺基、芳基烷基矽烷基、醯基、醯氧基 、亚胺基、醯胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基 、或1价杂环基;R3为烷基、芳基、芳基烷基、芳基 烯基、芳基炔基、或1价杂环基;a为0至3之整数;b为 0至4之整数;a为2以上之场合,其复数之R1可相同或 不同;b为2以上之场合,其复数之R2可相同或不同) (式中之D表单键或共轭2价基;R4及R5各自独立,表示 卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷 基矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳 基矽烷基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基 、芳基烷胺基、芳基烷基矽烷基、醯基、醯氧基 、亚胺基、醯胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基 、或1价杂环基;c、d各自独立,表示0至4整数;c为2以 上之场合,其复数之R4可相同或不同;d为2以上之场 合,其复数之R5可相同或不同)。 2.一种错合物,其特征为具有来自三重激发态之发 光且如下述式(3)所示, (式中之M1表原子序50以上之原子中,可因自旋轨道 之互相作用而在本错合物中发生单态与三重态间 之态间交替之金属;L1表下列式(4)或式(5)所示之配 位基;L2表经由1个以上之氮原子、氧原子、碳原子 、硫原子及/或磷原子与M键结之配位基,及卤素原 子或氢原子;1表1至3之整数;m表0至3之整数;1为2以 上之场合,复数之L1可相同或不同;m为2以上之场合, 复数之L2可相同或不同;l+m表2至6之整数) (式中之Ar1表经1个以上之氮原子、氧原子、碳原 子、硫原子及/或磷原子与M1键结且与j个A键结之 配位基之残基;j表1至3之整数;A、R1至R3及a及b各与 上述式(1)中者相同) (式中之Ar2表经1个以上之氮原子、氧原子、碳原 子、硫原子及/或磷原子与M1键结且与k个D键结之 配位基之残基:k表1至3之整数:D、R4、R5、c及d各与 上述式(2)中者相同)。 3.如申请专利范围第2项之错合物,其中,L1为上述式 (4)所示之配位基者。 4.如申请专利范围第2项之错合物,其中,L1为上述式 (5)所示之配位基,且其D为共轭2价基者。 5.如申请专利范围第2项之错合物,其中,L1为经至少 1个氮原子及/或至少1个碳原子与M1键结者。 6.如申请专利范围第5项之错合物,其中,L1为多齿配 位基者。 7.如申请专利范围第2项之错合物,其中,Ar1及Ar2为 下述式(6)或(7)所示之1价2齿配位基者 (式中R6至R13各自独立,表示氢原子、卤素原子、烷 基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基矽烷基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基、芳 基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基 、芳基烷基矽烷基、醯基、醯氧基、亚胺基、醯 胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基、1价杂环基、 或上述式(1)或式(2)中所示之基;R6至R13中至少一者 为上述式(1)或式(2)中所示之基) (式中之E1表氧原子或硫原子;R14至R19各自独立,表 示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、 烷胺基、烷基矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳胺基、芳基矽烷基、芳基烷基、芳基烷氧基、 芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基烷基矽烷基、醯 基、醯氧基、亚胺基、醯胺基、芳基烯基、芳基 快基、氰基、1价杂环基、或上述式(1)或式(2)中所 示之基;R14至R19中至少一者为上述式(1)或式(2)中所 示之基)。 8.如申请专利范围第2项之错合物,其中,M1为铱原子 、白金原子、金原子或铕原子者。 9.一种有机电场发光元件,其特征为在阳极及阴极 所构成之电极间,含由申请专利范围第2至8项中任 一项之错合物所形成之层者。 10.一种高分子化合物,其系一种高分子发光体,而 在其主链或分枝链具有呈现源自三重激发态之发 光之金属错合物构造,且具有上述式(1)或(2)所示之 1价基者。 11.如申请专利范围第10项之高分子化合物,系具有 下列式(8)、(9)及(10)所示之反复单位,且具有可见 光范围之磷光者 (式中之M2表原子序50以上之原子中,可因自旋轨道 之相互作用而在本错合物中发生单态与三重态间 之态间交换之金属;L3表下列式(12)或(13)所示之配 位基;L4表经由1个以上之氮原子、氧原子、碳原子 、硫原子及/或磷原子与M2键结之配位基、卤素原 子或氢原子;e表1至3之整数;f表0至3之整数;L5表经 由1个以上之氮原子、氧原子、碳原子、硫原子及 /或磷原子与M2键结之配位基,且经由二键与二个反 复单位共价键结;e为2以上之场合,复数之L3可相同 或不同;f为2以上之场合,复数之L4可相同或不同;e+f 为1至5之整数) (式中之Ar4表经由1个以上之氮原子、氧原子、碳 原子、硫原子及/或磷原子与M2键结且与o个A键结 之配位基之残基;o表1至3整数;A、R1至R3、a及b各与 上述式(1)中者相同) (式中之Ar5表经由1个以上之氮原子、氧原子、碳 原子、硫原子及/或磷原子与M2键结,且与p个D共价 键结之配位基之残基;p表1至3整数;D、R4、R5、c及d 各与上述式(2)中者相同) (式中之M2、L3及L4各与上述式(8)中者相同;L6及L7各 自独立,表示经由1个以上之氮原子、氧原子、碳 原子、硫原子及/或磷原子与M2键结之配位基,且L6 及L7各经由一键与相接之一反复单位形成共价键;g 表1至3之整数,h表0至3之整数;g为2以上时,复数之L3 可相同或不同;h为2以上时,复数之L4可相同或不同; g+h为1至4之整数) (式中之M2、L3、L4、e及f各与上述式(8)中者相同;Ar3 表3价之芳族基或3价之杂环基;L8表经由1个以上氮 原子、氧原子、碳原子、硫原子及/或磷原子与M2 键结之配位基,且L8经由一键与Ar3共价键结者)。 12.如申请专利范围第10项之高分子化合物,其中,高 分子末端具有下述式(11)所示构造,且可发出可见 光范围之磷光者 (式中之M2、L3、L4、e及f各与上述式(8)中者相同;L9 表经由1个以上之氮原子、氧原子、碳原子、硫原 子及/或磷原子与M2键结之配位基,且L9经一键与高 分子末端形成共价键结)。 13.如申请专利范围第10项之高分子化合物,其中,该 高分子化合物具有呈现源自三重激发态之发光之 金属错合物构造,且在该金属错合物构造外之反复 构造单位上,另有上述式(1)或式(2)所示之1价基者 。 14.如申请专利范围第10项之高分子化合物,其中,主 链为共轭高分子者。 15.如申请专利范围第14项之高分子化合物,其中,另 含有下述式(14)所示之反复单位者 (式中之Ar6表伸芳基或2价杂环基;R20及R21各自独立, 表示氢原子、烷基、芳基、芳基烷基、芳基烯基 、芳基炔基、1价杂环基或氰基;Ar6上之取代基、R 20及R21中之至少一者为上述式(1)或式(2)所示之基;n 表0或1)。 16.如申请专利范围第10项之高分子化合物,其中,该 呈现源自三重激发态之发光之金属错合物部份之 配位基中,至少一个系经由氮原子及/或碳原子与 金属键结。 17.如申请专利范围第10项之高分子化合物,其中,该 呈现源自三重激发态之发光之金属错合物部份之 配位基中,至少一个为多齿配位基。 18.如申请专利范围第10项之高分子化合物,其中,该 呈现源自三重激发态之发光之金属错合物部份之 配位基中,至少一个为下列式(15)或式(16)所示之配 位基 (式中之R22至R29各自独立,表示氢原子、卤素原子 、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基矽烷基 、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基 、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷 胺基、芳基烷基矽烷基、醯基、醯氧基、亚胺基 、醯胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基、及1价杂 环基;且R22至R29中之至少一者为与主链或侧链键结 之键); (式中之E2为氧原子或硫原子;R30至R35各自独立,表 示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、 烷胺基、烷基矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳胺基、芳基矽烷基、芳基烷基、芳基烷氧基、 芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基烷基矽烷基、醯 基、醯氧基、亚胺基、醯胺基、芳基烯基、芳基 炔基、氰基或1价杂环基;R30至R35中之至少一者为 与主链或侧链键结之键)。 19.如申请专利范围第10至18项中任一项之高分子化 合物,其中,该呈现源自三重激发态之发光之金属 错合物部份之中心金属为铱原子、白金原子、金 原子或铕原子者。 20.一种有机电场发光元件,其特征为在阳极及阴极 所构成之电极间具有含申请专利范围第10至19项中 任一项之高分子化合物之层。 |
