发明名称 发光装置、发光装置之制造方法及电子机器
摘要 提供可抑制因气体阻挡层剥离或裂纹而引起之水分浸入的发光装置及该制造方法及电子机器。发光装置1是在基体200上具备有:多数之第一电极23、具有对应于第一电极23之形成伪之多数开口部221a的隔墙221、被配置在开口部221a之各个的有机机能层60、覆盖隔墙221及有机功能层60之第二电极50、覆盖第二电极50并形成有平坦顶面之有机缓冲层210、覆盖有机缓冲层210之气体阻挡层30,和覆盖气体阻挡层30之至少外围区域的外壳补强层212。
申请公布号 TWI277919 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW095101619 申请日期 2006.01.16
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 林建二
分类号 G09F9/30(2006.01);H05B33/10(2006.01);H01L27/32(2006.01) 主分类号 G09F9/30(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种发光装置,其特征为:在基体上具备有 多数第一电极; 具有对应于上述第一电极之形成位置之多数开口 部的隔墙; 被配置在各个上述开口部上之有机功能层; 覆盖上述隔墙及上述有机功能层之第二电极: 覆盖上述第二电极之有机缓冲层; 延伸存在而被配置成覆盖上述有机缓冲层之图案 及其周围之气体阻挡层;和 被配置成覆盖上述有机缓冲层之外围区域之外壳 补强层。 2.如申请专利范围第1项所记载之发光装置,其中, 上述外壳补强层是被配置成覆盖上述有机缓冲层 之图案的端部周边。 3.如申请专利范围第1项或第2项所记载之发光装置 ,其中,上述外壳补强层是延伸存在而被配置成覆 盖上述气体阻挡层之图案之外围区域及其周围。 4.如申请专利范围第1项或第2项所记载之发光装置 ,其中,具有覆盖上述第二电极之电极保护层。 5.如申请专利范围第1项或第2项所记载之发光装置 ,其中,具有覆盖上述气体阻挡层之保护层。 6.如申请专利范围第1项或第2项所记载之发光装置 ,其中,上述有机缓冲层之端部之接触角度是以45 以下所形成。 7.如申请专利范围第1项或第2项所记载之发光装置 ,其中,上述外壳补强层是由树脂所构成。 8.如申请专利范围第7项所记载之发光装置,其中, 上述外壳补强层含有微粒子。 9.如申请专利范围第7项所记载之发光装置,其中, 上述外壳补强层和上述有机缓冲层是由相同树脂 所构成。 10.如申请专利范围第5项所记载之发光装置,其中, 上述保护层是被配置成使上述外壳补强层之外围 区域予以露出。 11.如申请专利范围第5项所记载之发光装置,其中, 上述保护层是由覆盖上述气体阻挡层之黏着层和 表面保护基板所构成。 12.一种发光装置之制造方法,其特征为:具有在基 体上 形成多数第一电极之工程; 形成具有对应于上述第一电极之形成位置之多数 开口部的隔墙之工程; 形成被配置在各个上述开口部的有机功能层之工 程; 形成覆盖上述隔墙及上述有机功能层的第二电极 之工程; 形成覆盖上述第二电极,并形成有平坦顶面的有机 缓冲层之工程; 形成覆盖上述有机缓冲层的气体阻挡层之工程; 形成覆盖上述气体阻挡层之至少外围区域的外壳 补强层之工程。 13.如申请专利范围第12项所记载之发光装置之制 造方法,其中,形成上述外壳补强层之工程,是包含 将含有微粒子之有机材料涂布于上述气体阻挡层 之至少外围区域的工程。 14.如申请专利范围第12项或第13项所记载之发光装 置之制造方法,其中,具有将覆盖上述体气阻挡层 及上述外壳补强层之一部份之保护层,形成使上述 外壳补强层之外围区域予以露出之工程。 15.如申请专利范围第14项所记载之发光装置之制 造方法,其中,形成上述保护层之工程是包含有 形成覆盖上述气体阻挡层及上述外壳补强层之一 部分的黏着层之工程; 在上述黏着层上配置表面保护基板之工程; 沿着上述黏着层之大略外围切断上述表面保护基 板之工程。 16.一种电子机器,其特征为:具备有申请专利范围 第1项至第11项中之任一项所记载之发光装置。 图式简单说明: 第1图是表示本发明之第一实施形态所涉及之EL显 示装置1之配线构造图。 第2图是表示EL显示装置1之构成的模式图。 第3图是沿着第2图之A-B线之截面图。 第4图是沿着第2图之C-D线之截面图。 第5图是表示有机缓冲层210之端部(外围区域)之放 大图。 第6图是以工程顺序表示EL显示装置1之制造方法之 图式。 第7图是表示接续于第6图之工程的图示。 第8图是表示保护层204之变形例之截面图。 第9图是用以说明保护层204之变形例的图示。 第10图是表示本发明之第二实施形态所涉及之EL显 示装置2之截面构造之模式截面图。 第11图是表示本发明之实施形态所涉及之电子机 器的图示。
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