发明名称 Method for manufacturing a recessed gate structure in semiconductor device using damascene process
摘要
申请公布号 KR100702123(B1) 申请公布日期 2007.03.30
申请号 KR20050010149 申请日期 2005.02.03
申请人 发明人
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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