提高硅薄膜致密性的制备方法

摘要

本发明属于光学薄膜技术领域，本发明涉及一种用电子束蒸发技术提高硅膜层致密性的制备方法，制备过程中，采用高真空下双枪电子束同时分别蒸镀硅和二氧化硅两种膜料实现，蒸发过程中，要严格控制两种膜料的淀积速率比，当淀积速率比小于3.5左右时，致密性达到较大值，继续减少它们的蒸发速率值，膜的折射率将开始下降。该制备方法简单可行，而且不受两种膜料的熔点等性能差异的限制。

主权项

1、一种用电子束蒸发技术提高硅膜层致密性的制备方法，其特征在于，使用双枪电子束同时蒸发硅和二氧化硅膜料实现，蒸镀过程中严格控制蒸发两种膜料的蒸发速率比，改变蒸镀速率比可调节膜层的致密性和折射率值，包括如下步骤：步骤1：将硅膜料和二氧化硅膜料分别装在两个坩埚中，然后将双枪电子束镀膜机抽到高真空，即真空度值小于等于1×10-4帕斯卡；步骤2：将衬底加热到200-300℃，并控温；步骤3：在计算机控制程序中设定两种膜料的淀积速率，开启电子枪，然后启动淀积程序；步骤4：在计算机控制下，通过两个石英晶体振动器分别精确控制两种膜料的淀积速率，从而实现高致密性的硅膜。